Барристор – графеновый транзистор с низким током утечки

В Южнокорейском городе Йонъин, где находится Институт технологий Samsung, группа ученых под руководством Хюн Чон Чхуна разработала модель графенового транзистора.

Ни для кого не секрет, что графен позиционируется как скорая замена кремнию, в качестве материала для полупроводниковых чипов. Барристор - графеновый транзистор от SamsungПо подсчетам специалистов, кремний проигрывает графену по подвижности электронов почти в 200 раз. Но, для того чтоб реализовать это преимущество, нужно решить одну из нескольких проблем этого материала. Главной из таких проблем является невозможность отключения напряжения в транзисторе, сделанного из графена. Все дело в том, что этот материал по своим характеристикам напоминает металл. А без отключения напряжения в транзисторе, нельзя будет формировать цифровые сигналы “1” и “0”.

Для того, чтоб сделать транзистор на основе графена нужно реализовать эффект барьера Шоттки. В электронике этим термином называют феномен, возникающий во время контакта пластинки из некоторых металлов с полупроводником. На границе контакта, из-за хорошей проводимостью металла и малой проницательностью полупроводника, образуется барьер. Он способствует ускорению движения электронов из полупроводника в металл, но препятствует обратному процессу.

Южнокорейские инженеры реализовали барьер Шоттки в графеновом транзисторе. Он представляет собой подложку из оксида кремния, трех электродов из золота, графеновой пленки, изолятора и кремния, подвергшегося специальной обработке. В таком “слоенном пироге” транзистора, кремний является полупроводником, а графен металлом.

Перед тем, как напечатать транзистор, ученые смоделировали его с использованием специальных программ. После обработки, группа Чхуна получила довольно интересные цифры. После того, как транзистор был готов, его подвергли испытаниям. Все компьютерные вычисления реализовались на практике.

Первая партия из нескольких тысяч графеновых транзисторов пошла на изготовление примитивных логических схем для дальнейшего анализа работоспособности.

Графеновый транзистор из лаборатории Samsung получил название барристор (барьер). Право на использование технологии создания такого транзистора охраняется девятью патентами.

Соотношение тока во включенном и выключенном транзисторе равняется 10:1, что позволяет сделать довольно оптимистические выводы. Похоже, проблема с токами утечки в графене, оказалась решаемой.

Pop Hi-Tech > Технологии > Барристор – графеновый транзистор с низким током утечки

Похожие статьи

2 комментария на “Барристор – графеновый транзистор с низким током утечки”

  • апр:

    Кремний уходит в каменный век с его тяжёлыми процессорами.

  • TolikStar:

    И когда можно будет в своих руках пощупать эту новую модель графенового транзистора? И сколько будет стоить такое удовольствие? Неверное не мало!

Оставить комментарий

Случайное видео с сайта

Интересное в науке
Нанороботы в медицине
Медицина будущего будет строиться на работе нанороботов. Уже сейчас в этом направлении есть замечательные прорывы. Стоит отметить хотя бы респироцита – наноробота, который выполняет функции кровеносного эритроцита
Далее . . .

Графен – материал будущего
Возьмите обычную пищевую пленку. Она почти ничего не весит, и при попытке ее порвать у вас это легко получится. Теперь представьте себе материал который в несколько раз тоньше пленки.
Далее . . .

Интересное в технике

iPad 4G. Новый планшетный компьютер от Apple
По последним данным, Apple контролирует 73% рынка персональных компьютеров. Первое устройство серии iPad в свое время и обеспечило такой колоссальный кусок самого перспективного рынка
Далее . . .

Энергетика
Альтернативная энергетика сегодня
После нефтяного кризиса 1973 года, многие страны стали складывать средства в альтернативную энергетику, то есть ту, которая не связана с производством энергии из нефти, газа и угля.
Далее . . .

quick input type=