флеш-память

Побежден главный недостаток флеш-памяти

флеш-памятьЗнаете, что является главным недостатком флеш-памяти? Не многие ответят (если вы не из их числа, то порадуйтесь за себя), что главным недостатком флеш-пямяти является относительно низкое число циклов записи-стирания. Дело в том, что такие процедуры ухудшают изоляцию ячеек памяти. В один прекрасный (я хотел сказать ужасный) момент, флеш-память просто утрачивает свои функции. Если на вашей флешке записаны важные документы, и она больше не открывается, то это может стать плохим началом дня (если вы пришли на работу и вставили кусок пластика с ячейками памяти в ваш компьютер) или причиной очередной взбучки от шефа. Но скоро таких ситуаций может не быть. Тайваньские инженеры из Macronix увеличили число циклов перезаписи карт флеш-памяти с 10 тысяч (среднее число этого показателя на данный момент) до 100 миллионов.

Флеш-памяти многие специалисты хай-тек индустрии пророчили скорую смерть. Но специалисты Macronix вдохнули в технологию новую жизнь, придумав способ сохранения изоляции ячейки памяти, которая разрушалась в ходе многочисленных циклов перезаписи.Благодаря этой технологии, флешки под нанесение логотипа, могут стать вечными.

Способ увеличения ресурса флеш-памяти известен довольно давно. Но предварить его в жизнь до этого дня никому не удавалось. Этот способ связан с высокой температурой. Если на флеш-память воздействовать несколько часов температурой равной 250˚ C, то полупроводниковые пластины (кристаллы), из которой она состоит могут самовосстанавливаться.

Читайте по теме:“FeRAM новая технология оперативной памяти

Конечно, постоянно поддерживать высокую температуру для восстановления памяти, построенных по технологии Фудзио Масуокой, довольно проблематично, и не эффективно с экономической точки зрения. Поэтому инженеры Macronix пошли по другому пути. Они вместо того, чтоб постоянно греть пластины памяти, использовали кратковременный тепловой импульс в 800˚ С. Он, также как и постоянная температура, помогает в восстановлении кристаллов. Причем, такую процедуру можно проводить не очень часто, главное, чтоб память в момент нагрева активно не использовалась.

Кратковременный тепловой импульс в 800˚ С не нуждается в использовании большого количества энергии. Инженеры тайваньской компании Macronix заявили, что для этого хватит энергии батареи обычного мобильного телефона.

Пока не известно, когда технология самовосстановления памяти будет применена в новейших устройствах хранения данных. Презентация проходит в эти дни на конференции International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско.

Побежден главный недостаток флеш-памяти: 1 комментарий

  1. Лично мне еще не приходилось использовать флеш-памят, а значит и проблемы связанные с флешкай мне не грозят. А за информацию спасибо, полезная статья.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *